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160A大电流MOS管 160N04 TO-263

2021-06-09

160A大电流MOS管 160N04 TO-263


场效应管丝印 160A大电流MOS管 160N04 TO-263 MOSFET用途



160A大电流MOS管 160N04的特点:



160A大电流MOS管 160N04的用途:



160A大电流MOS管 160N04的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压40V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TC=25℃)160A
漏极电流-连续(TC=100℃)142
IDM漏极电流-脉冲400
EAS单脉冲雪崩能量400mJ
IAS雪崩电流40A
PD总耗散功率 TC=25℃178W
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150
RθJC结到管壳的热阻0.7℃/W
RθJA结到环境的热阻50



160A大电流MOS管 160N04的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压40

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=20A


1.93
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=20A


2.33.5
VGS(th)
栅极开启电压1.21.62.2V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零栅压漏极电流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
45
nC
Qgs栅源电荷密度
12
Qgd栅漏电荷密度
18.5
Ciss输入电容
3972
pF
Coss输出电容
1119
Crss反向传输电容
82
td(on)开启延迟时间
18.5
ns
tr开启上升时间
9
td(off)关断延迟时间
58.5
tf
开启下降时间
32


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