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N沟道场效应管 50N06 PDFN3X3-8L

2021-06-10

N沟道场效应管 50N06 PDFN3X3-8L


N沟道场效应管 50N06 PDFN3X3-8L 贴片MOS 开关用MOS管



贴片MOS 50N06的特点:



贴片MOS 50N06的用途:



贴片MOS 50N06的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)



贴片MOS 50N06的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压60

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=20A


7.18.5
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=15A


9.512
VGS(th)
栅极开启电压1.2
2.5V
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
57
nC
Qgs栅源电荷密度

8.7
Qgd栅漏电荷密度
14
Ciss输入电容
3307
pF
Coss输出电容
201
Crss反向传输电容
151
td(on)开启延迟时间
16.2
ns
tr开启上升时间
41.2
td(off)关断延迟时间
56.4
tf
开启下降时间
16.2


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