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电源管理MOS管 50N06 PDFN5X6-8L

2021-06-10

电源管理MOS管 50N06 PDFN5X6-8L


电源管理MOS管 50N06 PDFN5X6-8L 60V/50A 国产NMOS管 大芯片



国产NMOS管 50N06的特点:



国产NMOS管 50N06的应用领域:



国产NMOS管 50N06的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压60V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TC=25℃)50A
IDM漏极电流-脉冲90
EAS单脉冲雪崩能量39.2mJ
IAS雪崩电流28A
PD总耗散功率 TC=25℃45W
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150
RθJC结到管壳的热阻2.8℃/W
RθJA结到环境的热阻62



国产NMOS管 50N06的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压6065
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=20A


11.516
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=10A


16.320
VGS(th)
栅极开启电压1.21.82.5V
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
19.3
nC
Qgs栅源电荷密度

7.1
Qgd栅漏电荷密度
7.6
Ciss输入电容
2423
pF
Coss输出电容
145
Crss反向传输电容
97
td(on)开启延迟时间
7.2
ns
tr开启上升时间
50
td(off)关断延迟时间
36.4
tf
开启下降时间
7.6

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