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低压系列MOS管 50N06 TO-251

2021-06-10

低压系列MOS管 50N06 TO-251


国产MOSFET 低压系列MOS管 50N06 TO-251 场效应管工作原理



国产MOSFET 50N06的管脚图:

image.png

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国产MOSFET 50N06的用途:



国产MOSFET 50N06的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)



国产MOSFET 50N06的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压6065
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=20A


1420
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=10A


1825
VGS(th)
栅极开启电压1.21.82.5V
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
19.3
nC
Qgs栅源电荷密度

7.1
Qgd栅漏电荷密度
7.6
Ciss输入电容
2423
pF
Coss输出电容
145
Crss反向传输电容
97
td(on)开启延迟时间
7.2
ns
tr开启上升时间
50
td(off)关断延迟时间
36.4
tf
开启下降时间
7.6


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